ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | 2 | |||||
3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
بخشی از متن:
پاورپوینت لیزرهای نیمه رسانا
نوع فایل: power point
فرمت فایل: pptx
قابل ویرایش
تعداد اسلاید : 19 صفحه
قسمتی از پاورپوینت :
در نیمرسانای ذاتی که هیچ ناخالصی نداشته باشد تعداد الکترونهای نوار رسانش همیشه با تعداد حفره های نوار ظرفیت برابرند
اگریک اتم با یک الکترون اضافی به صورت ناخالصی اضافه شود:
ناخالصی یک الکترون به تراز رسانش می بخشد(Donor)
ناخالصی یک الکترون از تراز ظرفیت می گیرید(Acceptor)
اگریک اتم با یک الکترون کمتر به صورت ناخالصی اضافه شود:
حفره ها از منطقه های نزدیک به اتصال نوع p به علت وجود گرادیان غلظت به طرف نوع n پخش میشوند. فاصله ای که حاملها پیش از ترکیب دوباره پخش می شوند از رابطه زیر بدست می آیدحرکت حفره ها از جایگاه p پذیرنده های منفی به جای می گذارد و ایجاد یک لایه بار فضایی منفی در جایگاه p نزدیک به اتصال می کند. همینطور پخش الکترون از جایگاه n به جایگاه p در جایگاه n لایه ای بار فضایی مثبت به جای می گذارد. این لایه های بار تولید یک میدان الکتریکی داخلی می کند. میدان ایجاد شده یک جریان سوق در جهت مخالف جریان پخش راه میاندازد. در حالت پایا جریان کل مجموع جریانهای سوق و پخش است که در تعادل گرمایی صفر است.